AO5804E中文资料PDF规格书
AO5804E规格书详情
General Description
The AO5804E/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO5804E and AO5804EL are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO5804EL is Halogen Free
Features
VDS (V) = 20V
ID = 0.5 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 0.55Ω (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 0.68Ω (VGS = 2.5V)
RDS(ON)
ESD PROTECTED!
产品属性
- 型号：
AO5804E
- 功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
15PB |
SC89-6 |
750 |
询价 | |||
ALPHA |
24+ |
SC89-6 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
AO |
SC896 |
7906200 |
询价 | ||||
AOS/万代 |
23+ |
SC89-6 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
AO |
1925+ |
SC-89-6 |
45000 |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
询价 | ||
ALPHA |
22+ |
SC89-6 |
10000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
AO |
22+ |
SC89-5 |
348 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
AOS |
2020+ |
SC89-3 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
AOS/一定原 |
22+ |
SC89-6 |
25000 |
原装现货,价格优惠,假一罚十 |
询价 | ||
AOS/万代 |
22+ |
SC89-6 |
18000 |
原装正品 |
询价 |
