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AM1214-250中文资料PDF规格书

AM1214-250
厂商型号

AM1214-250

功能描述

RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS

文件大小

36.45 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 18:38:00

AM1214-250规格书详情

DESCRIPTION

The AM1214-250 is a rugged, Class C common base device designed for new L - Band medium & long pulse radar applications.

Minimal amplitude droop over a long pulse of 500 microsec. is guaranteed by a thermal design incorporating an overlay site-ballasted die geometry.

• REFRACTORY /GOLD METALLIZATION

• EMITTER SITE BALLASTING

• LOW RF THERMAL RESISTANCE

• INPUT/OUTPUT MATCHING

• OVERLAY GEOMETRY

• METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

• POUT = 300 W MIN. WITH 8.0 dB GAIN

• 1215-1400 MHz OPERATION

产品属性

  • 型号:

    AM1214-250

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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