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CoolSiC™1200VSiCTrenchMOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=17AatTC=25°C •RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswit

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