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BD243B	文件：34.04 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD243BandBD243CaresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage. Theyareintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD244BandBD244Crespectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD243B	文件：38.1 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD244,BD244A,BD244BandBD244Crespectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD243B	文件：140.69 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors 6AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON80–100VOLTS65WATTS ...designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. •Collector–EmitterSaturationVoltage— VCE(sat)=1.5Vdc(Max)@IC=6.0Adc •CollectorEmitterSustainingVoltage—	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD243B	文件：140.69 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •HighCurrentGainBandwidthProduct •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD243B	文件：127.31 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(6A,65W) 6AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS45-100VOLTS65WATTS	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
BD243B	文件：133.26 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS 6AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS45-100VOLTS65WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BD243B	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD243B	文件：191.48 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain-hFE=30(Min)@IC=0.3A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=45V(Min)-BD243;60V(Min)-BD243A 80V(Min)-BD243B;100V(Min)-BD243C ·ComplementtoTypeBD244/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD243B	文件：106.13 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS SILICONNPNPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD244Series ●65Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●10APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable ●-SSuffixAddedtoPartNumberIndicatesRoHSCompliance*	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD243B	文件：90.48 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD244/A/B/C APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD243BG	文件：103.58 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD243BG	文件：147.12 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •HighCurrentGainBandwidthProduct •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD243C	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BD243C	文件：289.22 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=6A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD243C	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220-PowerTransistorsandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BD243C	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD243C	文件：106.13 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS SILICONNPNPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD244Series ●65Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●10APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable ●-SSuffixAddedtoPartNumberIndicatesRoHSCompliance*	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD243C	文件：78.21 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheBD243BandBD243CaresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage. Theyareintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD244BandBD244Crespectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD243C	文件：343.19 Kbytes Page：10 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD243C	文件：90.48 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD244/A/B/C APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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更多AH243TS供应商更新时间2024-5-29 17:16:00

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