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AGR21030EF	文件：371.51 Kbytes Page：9 Pages	30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
LET21030C	文件：62.62 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERTRANSISTORSLdmosEnhancedTechnology DESCRIPTION TheLET21030CisacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto2.1GHz.TheLET21030Cisdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsource	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
LLCC21030C	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	LowLossCWDM	OPLINK Oplink Communications, LLC	OPLINK
LLCC21030S	文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages	LowLossCWDM	OPLINK Oplink Communications, LLC	OPLINK
MRF21030D	文件：377.52 Kbytes Page：8 Pages	RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORSN-CHANNELENANCEMENT-MODELATERALMOSFETS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2.0to2.2GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cell	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MT21030UG	文件：34.04 Kbytes Page：2 Pages	Marktech3mmUltraBrightYGLEDs	Marktech Marktech Optoelectronics	Marktech
PFM21030	文件：423.27 Kbytes Page：13 Pages	2110-2170MHz,30W,2-StagePowerModuleEnhancement-ModeLateralMOSFETs [CREE] ThisversatileUMTSmoduleprovidesexcellentlinearityandefficiencyinalow-costsurfacemountpackage.ThePFM21030includestwostagesofamplification,alongwithinternalsenseFETsthatareonthesamesilicondieastheRFdevices.ThesethermallycoupledsenseFETssimplifythe	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
PFM21030F	文件：423.27 Kbytes Page：13 Pages	2110-2170MHz,30W,2-StagePowerModuleEnhancement-ModeLateralMOSFETs [CREE] ThisversatileUMTSmoduleprovidesexcellentlinearityandefficiencyinalow-costsurfacemountpackage.ThePFM21030includestwostagesofamplification,alongwithinternalsenseFETsthatareonthesamesilicondieastheRFdevices.ThesethermallycoupledsenseFETssimplifythe	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
PFM21030SM	文件：423.27 Kbytes Page：13 Pages	2110-2170MHz,30W,2-StagePowerModuleEnhancement-ModeLateralMOSFETs [CREE] ThisversatileUMTSmoduleprovidesexcellentlinearityandefficiencyinalow-costsurfacemountpackage.ThePFM21030includestwostagesofamplification,alongwithinternalsenseFETsthatareonthesamesilicondieastheRFdevices.ThesethermallycoupledsenseFETssimplifythe	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
SNC21030	文件：116.45 Kbytes Page：10 Pages	1-CHH.Q.SpeechController INTRODUCTION SNC21030isaone-channelvoicesynthesizerICwithPush-Pulldirectdrivecircuit.Itbuiltina4-bittinycontrollerwiththree4-bitI/Oports.ByprogrammingthroughthetinycontrollerinSNC21030,user’svariedapplicationsincludingvoicesectioncombination,keytriggerar	SONiXSONIX 松翰科技	SONiX
SNC21030A	文件：142.14 Kbytes Page：11 Pages	1-CHH.Q.SpeechController INTRODUCTION SNC21030Aisaone-channelvoicesynthesizerICwithPush-Pulldirectdrivecircuit.Itbuilt-ina4-bittinycontrollerwiththree4-bitI/Oports.ByprogrammingthroughthetinycontrollerinSNC21030A,user’svariedapplicationsincludingvoicesectioncombination,keytriggera	SONiXSONIX 松翰科技	SONiX
UFT21030	文件：230.67 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
AGR21030EF
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	AGR21030EF	AGERE	2019+	SMD	6992	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	AGR21030EF		23+	N/A	45990	正品授权货源可靠	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	AGR21030EF	TRIQUINT	23+	NA/	17	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多AGR21030EF供应商更新时间2024-5-17 16:04:00

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