选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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Advanced Semiconductor, Inc.Na |
2864 |
22+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
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TRIQUINT |
200 |
23+ |
现货供应 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
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TRIQUINTTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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AGR18060EF图片
AGR18060EF中文资料Alldatasheet PDF
更多AGR18060EF功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray