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ATP868	文件：944.89 Kbytes Page：5 Pages	868MHzPatchAntenna	YICYuechung International Corp. 裕中裕中企业股份有限公司	YIC
BC868	文件：2.12979 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Twocurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC868	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC868	文件：638.06 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowvoltage,highcurrent,ComplementarytoBC869. Applications Generalpurposeswitchingandamplification,suchasaudiooutputstages.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC868	文件：155.6 Kbytes Page：9 Pages	NPNmediumpowertransistor; Generaldescription NPNmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC868	文件：53.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNMediumPowerTransistor Features ●Highcurrent ●Twocurrentgainselections ●1.2Wtotalpowerdissipation.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC868	文件：409.95 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent ●Lowvoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC868	文件：43.03 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistor DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplement:BC869. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.20V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Powerapplicationssuchasaudiooutputstages.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC868	文件：27.84 Kbytes Page：1 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES SUITABLEFORGENERALAFAPPLICATIONSANDCLASSB AUDIOOUTPUTSTAGESUPTO3W HIGHhFEANDLOWSATURATIONVOLTAGE COMPLEMENTARYTYPE-BC869 PARTMARKINGDETAILS–BC868-CAC BC868-16-CCC	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BC868	文件：1.42668 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Highcurrent Lowvoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC868	文件：593.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistor Features ●Lowsaturationvoltage ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
BC868	文件：1.21114 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent ●Lowvoltage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BC868	文件：173.48 Kbytes Page：12 Pages	NPNmediumpowertransistor20V,1A	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC868	文件：1.18878 Mbytes Page：23 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC868	文件：337.16 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Highcurrent ●Lowvoltage	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
BC868	文件：143.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNmediumpowerTransistor FEATURES ●Twocurrentgainselections. ●Highcurrent. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●Powerapplicationssuchasaudiooutputstages. ●ComplememttoBC869.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC868	文件：1.46887 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateNPNTransistors FEATURES •Highcurrent：1A •PDPowerDissipation:500mW	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC868-CAC	文件：27.84 Kbytes Page：1 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES SUITABLEFORGENERALAFAPPLICATIONSANDCLASSB AUDIOOUTPUTSTAGESUPTO3W HIGHhFEANDLOWSATURATIONVOLTAGE COMPLEMENTARYTYPE-BC869 PARTMARKINGDETAILS–BC868-CAC BC868-16-CCC	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BC868-Q	文件：235.48 Kbytes Page：12 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC868-Q_SER	文件：235.48 Kbytes Page：12 Pages	20V,2ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Twocurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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产品属性

产品编号：
AEK-868-VHETH
制造商：
Linx Technologies Inc.
类别：
开发板，套件，编程器 > 射频评估和开发套件，开发板
系列：
VHETH
包装：
盒
类型：
天线
频率：
868MHz
配套使用/相关产品：
ANT-868-VHETH
所含物品：
板
描述：
BOARD EVAL FOR ANT-868-VHETH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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