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BFY420S	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •ForHighGainLowNoiseAmplifiers •ForOscillatorsupto10GHz •NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz •Hermeticallysealedmicrowavepackage •TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGA420	文件：38.08 Kbytes Page：6 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Cascadable50廓-gainblockUnconditionallystable) Si-MMIC-AmplifierinSIEGET®25-Technologie Preliminarydata •Cascadable50Ω-gainblock •Unconditionallystable •Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+9dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.4mA) •NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz •Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/O	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BGA420	文件：139.2 Kbytes Page：6 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie Si-MMIC-AmplifierinSIEGET®25-Technologie •Cascadable50Ω-gainblock •Unconditionallystable •Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) •NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz •Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGA420	文件：166.12 Kbytes Page：8 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGB420	文件：477.63 Kbytes Page：10 Pages	ActiveBiasedTransistor Description SIEGET®-25NPNTransistorwithintegratedbiasingforhighgainlownoisefigureapplications.ICcanbecontrolledusingIBiasaccordingtoIC=10*IBias. Features •Forhighgainlownoiseamplifiers •Idealforwidebandapplications,cellulartelephones, cordlesstelephones,	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGC420	文件：101.49 Kbytes Page：11 Pages	Self-BiasedBFP420	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGR420	文件：316.38 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistorWithBiasCircuitry Features •NoisefigureNF=1.5dBat0.4GHz •GainS21=26dBat0.4GHz •Onchipbiascircuitry,13mAbiascurrentatVCC=3.6V; VBB=2.8V •SIEGET®25GHzfT-Line •Pb-free(RoHScompliant)package *Shorttermdescription Applications •LNAs	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BRUS420	文件：75.57 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY30to35AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi edi	edi
BSD420L-C	文件：337.14 Kbytes Page：3 Pages	LowCapacitanceandInsertionLoss	Bencent 槟城电子	Bencent
BTM420	文件：1.5409 Mbytes Page：21 Pages	ChangesandRevisions	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BUF420	文件：80.98 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheBUF420MismanufacturedusingHighVoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapacity.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingawideRBSOA.TheBUFseriesisdesig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
ADR420ARMZ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
系列：
XFET®
包装：
管件
参考类型：
系列
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
2.048V
容差：
±0.15%
温度系数：
10ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
1.75µVp-p
电压 - 输入：
4V ~ 18V
电流 - 供电：
600µA
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-MSOP
描述：
IC VREF SERIES 0.15% 8MSOP

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