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AVHF225	文件：715.26 Kbytes Page：16 Pages	IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm	CITCIT CIT	CIT
AVHT225	文件：715.26 Kbytes Page：16 Pages	IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm	CITCIT CIT	CIT
AVT225	文件：124.83 Kbytes Page：6 Pages	Hightemperaturevitreouscoating	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BA225	文件：73.38 Kbytes Page：6 Pages	CRtimer TheBA225,BA225F,BA235,BA226,BA226F,andBA236aremonolithicICshavingindependentmonostablemultivibratorcircuitswhichconsumeverylowcurrent(0.75mAtyp.).Usingexternalresistorsandcapacitors,thetimingcontroltimecanbesetwithinarangefrom0.01msto100ms. AstheBA225,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BA225F	文件：73.38 Kbytes Page：6 Pages	CRtimer TheBA225,BA225F,BA235,BA226,BA226F,andBA236aremonolithicICshavingindependentmonostablemultivibratorcircuitswhichconsumeverylowcurrent(0.75mAtyp.).Usingexternalresistorsandcapacitors,thetimingcontroltimecanbesetwithinarangefrom0.01msto100ms. AstheBA225,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BFQ225	文件：45.38 Kbytes Page：6 Pages	NPNvideotransistor NPNvideotransistor DESCRIPTION NPNsilicontransistorencapsulatedina3-leadplasticSOT128Bpackage. APPLICATIONS •Primarilyintendedforcascodeoutputandbufferstagesinhighresolutioncolourmonitors.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BH225	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BLF225	文件：69.98 Kbytes Page：12 Pages	VHFpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforcommunicationstransmitterapplicationsintheVHFfrequencyrange. Thetransistorisencapsulatedina4-lead,SOT123flangeenvelope,withaceramiccap.Allleadsareisolatedfromtheflange. FEATURES •E	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP225	文件：76.74 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelope,intendedforuseinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES •LowRDS(on) •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP225	文件：184.47 Kbytes Page：13 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor FEATURES ·LowRDS(on) ·DirectinterfacetoC-MOS,TTL, etc. ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown. DESCRIPTION P-channelenhancementmode verticalD-MOStransistorina miniatureSOT223envelope, intendedforuseinrelay,high-speed andlinetransformerdrivers.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS225	文件：2.47241 Mbytes Page：23 Pages	PhaseCutDimmableNon-isolatedBuckConverterforLEDRetrofitBulbwith	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS225	文件：205.46 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS225	文件：207.79 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BTA225	文件：61.33 Kbytes Page：8 Pages	Threequadranttriacshighcommutation GENERALDESCRIPTION GlasspassivatedhighcommutationtriacsinaplasticenvelopeintendedforuseincircuitswherehighstaticanddynamicdV/dtandhighdI/dtcanoccurloads.Thesedeviceswillcommutatethefullratedrmscurrentatthemaximumratedjunctiontemperature,withouttheaid	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225	文件：17.71 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225	文件：61.33 Kbytes Page：8 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225B	文件：22.04 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation GENERALDESCRIPTION Glasspassivatedhighcommutationtriacsinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting,intendedforuseincircuitswherehighstaticanddynamicdV/dtandhighdI/dtcanoccur.These deviceswillcommutatethefullratedrmscurrentatthemaximumratedjunctiont	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225B	文件：42.5 Kbytes Page：6 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225BC	文件：25.97 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA225C	文件：21.64 Kbytes Page：4 Pages	Threequadranttriacshighcommutation	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
ADR225HRZN
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
参考类型：
系列
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
2.5V
容差：
±0.4%
温度系数：
30ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
25µVp-p
电压 - 输入：
3.3V ~ 16V
电流 - 供电：
50µA
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC VREF SERIES 0.4% 8SOIC

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更多ADR225HRZN供应商更新时间2024-6-8 10:40:00

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