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PSWD8014	文件：264.9 Kbytes Page：1 Pages	DiodeModules	POWERSEM Powersem GmbH,	POWERSEM
PSXD8014	文件：154.08 Kbytes Page：1 Pages	DiodeModules	POWERSEM Powersem GmbH,	POWERSEM
PSYD8014	文件：264.9 Kbytes Page：1 Pages	DiodeModules	POWERSEM Powersem GmbH,	POWERSEM
QM8014D	文件：1.49721 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
QM8014D	文件：273.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch80VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM8014U	文件：264.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch80VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QPC8014Q	文件：1.10534 Mbytes Page：19 Pages	SP6TSwitchForLTEApplications FeatureOverview •QualifiedtoAEC-Q100Grade3 •Excellentinsertionlossandisolationperformance o0.33dBTypIL,Band5 o45dBTypIsolation,Band5 •Multi-Bandoperationfrom617MHzto6000MHz •RFFE2.0compatible •DCblockingcapacitorsarenotrequiredintypicalapplications	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPC8014QDK	文件：1.10534 Mbytes Page：19 Pages	SP6TSwitchForLTEApplications FeatureOverview •QualifiedtoAEC-Q100Grade3 •Excellentinsertionlossandisolationperformance o0.33dBTypIL,Band5 o45dBTypIsolation,Band5 •Multi-Bandoperationfrom617MHzto6000MHz •RFFE2.0compatible •DCblockingcapacitorsarenotrequiredintypicalapplications	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPC8014QSB	文件：1.10534 Mbytes Page：19 Pages	SP6TSwitchForLTEApplications FeatureOverview •QualifiedtoAEC-Q100Grade3 •Excellentinsertionlossandisolationperformance o0.33dBTypIL,Band5 o45dBTypIsolation,Band5 •Multi-Bandoperationfrom617MHzto6000MHz •RFFE2.0compatible •DCblockingcapacitorsarenotrequiredintypicalapplications	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPC8014QSR	文件：1.10534 Mbytes Page：19 Pages	SP6TSwitchForLTEApplications FeatureOverview •QualifiedtoAEC-Q100Grade3 •Excellentinsertionlossandisolationperformance o0.33dBTypIL,Band5 o45dBTypIsolation,Band5 •Multi-Bandoperationfrom617MHzto6000MHz •RFFE2.0compatible •DCblockingcapacitorsarenotrequiredintypicalapplications	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
SS8014	文件：291.28 Kbytes Page：10 Pages	300mALow-NoiseLDORegulators	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
SS8014G	文件：180.65 Kbytes Page：6 Pages	150mALow-NoiseLDORegulator	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
SS8014GTR	文件：180.65 Kbytes Page：6 Pages	150mALow-NoiseLDORegulator	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
TGA8014	文件：532.06 Kbytes Page：6 Pages	6-18GHzPowerAmplifier Description TheTriQuintTGA8014-SCCisatwo-stageGaAsmonolithicmediumpoweramplifier.Reactivelymatched914umand1219umFETSprovide11dBnominalgainwith16percenttypicalpower-addedefficiencyandoutputpowerat1dBgaincompressionof0.5watt.Groundisprovidedtothecircuit	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
TGA8014-SCC	文件：532.06 Kbytes Page：6 Pages	6-18GHzPowerAmplifier Description TheTriQuintTGA8014-SCCisatwo-stageGaAsmonolithicmediumpoweramplifier.Reactivelymatched914umand1219umFETSprovide11dBnominalgainwith16percenttypicalpower-addedefficiencyandoutputpowerat1dBgaincompressionof0.5watt.Groundisprovidedtothecircuit	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
TGA8014-SCC	文件：181.66 Kbytes Page：10 Pages	6-18GHzPowerAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
TPC8014	文件：1.85861 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8014	文件：248.03 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC8014	文件：213.73 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8014-H	文件：41.61 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(UltraHighspeedU-MOSIII) High-EfficiencyDC／DCConverterApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •High-speedswitching •Smallgatecharge:Qsw=7.4nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=7.1mΩ(typ.) •Highforward	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
AD8014ARTZ-REEL
功能描述：
IC OPAMP CF LP LN LDIST SOT23-5
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
2,500
放大器类型：
通用
电路数：
1
输出类型：
满摆幅
转换速率：
0.11 V/µs
增益带宽积：
350kHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
4nA 电压 -
输入偏移：
20µV 电流 -
电源：
260µA 电流 -
输出/通道：
20mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
2.7 V ~ 36 V，±1.35 V ~ 18 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SO
包装：
带卷(TR)

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