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B112LP	文件：53.22 Kbytes Page：2 Pages	IonizationDetector	GAMEWELL-FCIGamewell-FCI by Honeywell Gamewell-FCI by Honeywell	GAMEWELL-FCI
BB112	文件：41.52 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForAMtuningapplicationsSpecifiedtuningrange1??8.0V) SiliconVariableCapacitanceDiode ●ForAMtuningapplications ●Specifiedtuningrange1…8.0V	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCL-112	文件：179.22 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,Un-PlatedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-112	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-112-PL	文件：178.86 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminal	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-112-PL	文件：179.32 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1AWGWire,StudSize1/2,PlatedWidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCR112	文件：120.53 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR112	文件：35.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,inferfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR112	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR112	文件：841.95 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR112F	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR112F	文件：120.53 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR112T	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
ACTS112MS
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened Dual J-K Flip-Flop

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更多ACTS112MS供应商更新时间2024-6-13 18:03:00

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