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4102UE	文件：155.75 Kbytes Page：2 Pages	Security&Sound,4Conductor14AWGBC,LSZH ProductDescription Security&CommercialAudioCable,4-14AWGstranded(19x27)barecopperconductorswithpolyolefininsulation,FRNC/LSZHjacketwithripcord.	BELDEN Belden Inc.
ACE4102E	文件：632.15 Kbytes Page：9 Pages	2.5A,3MHzSwitchingChargerwithDynamicPowerPathManagement	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACMD-4102	文件：256.04 Kbytes Page：12 Pages	UMTS/NCDMA/Co-bandGSMRxBand2Duplexer	AVAGOAvago 安华高安华高科技
AM4102	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AM4102DR	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AM4102DVR	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AN4102	文件：174.36 Kbytes Page：16 Pages	Introducingthelow-powerconceptinautomotiveapplicationsusingtheSTM8ALboardoftheSTM8A-DISCOVERY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
AOD4102	文件：151.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD4102/AOI4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V I	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD4102	文件：1.11152 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=30V,ID=19A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AOD4102	文件：309.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=19A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=37mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD4102	文件：296.66 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOI4102	文件：317.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOI4102	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOI4102	文件：296.66 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
BX4102W	文件：121.35 Kbytes Page：4 Pages	BROADBANDxDSL,HPN,CMCs BROADBANDACCESS:xDSL,HPN,CMCs Broadbandhascomealongwayinthepastfewyears.Pulsecontinuestoleadthewaywithabroadrangeofcomponentsthatenabletwisted-paircopper,fiberandcoaxialcabletodeliverhigh-speedservicestohomesandbusinesses.Pulsecomponentsarealsous	pulse Pulse Electronics
C4102A	文件：73.79 Kbytes Page：1 Pages	4C227/30TCPVCPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司
CD4102	文件：113.86 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •1N4099THRU1N4135AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4099THRU1N4135 •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CDLL4102	文件：96.51 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CHA4102-QEG	文件：758.77 Kbytes Page：16 Pages	SbandDigitalVGA	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
CLL4102	文件：109.37 Kbytes Page：2 Pages	LOWNOISEZENERDIODE6.8VOLTSTHRU47VOLTS500mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL4099SeriestypesarehighqualitySiliconZenerDiodesdesignedforlowleakage,lowcurrentandlownoiseapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体

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