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A3T18H360W23SR6	文件：779.99 Kbytes Page：16 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
A3T18H360W23SR6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带封装/外壳：ACP-1230S-4L2S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

产品编号：
A3T18H360W23SR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.8GHz ~ 1.88GHz
增益：
16.6dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
63W
封装/外壳：
ACP-1230S-4L2S
供应商器件封装：
ACP-1230S-4L2S
描述：
1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2

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