A2V09H525-04NR6 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

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1+	面议

厂家型号：
A2V09H525-04NR6
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
NXP/恩智浦
库存数量：
7350
产品封装：
NA/
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-29 9:21:00

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原厂料号：A2V09H525-04NR6品牌：NXP(恩智浦)

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A2V09H525-04NR6是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商NXP(恩智浦)/NXP USA Inc.生产封装NA//OM-1230-4L的A2V09H525-04NR6晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
A2V09H525-04NR6
规格书：
下载下载2
企业简称：
NXP【恩智浦】详情
厂商全称：
NXP Semiconductors
中文名称：
恩智浦半导体公司
内容页数：
25 页
文件大小：
697.73 kb
资料说明：
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

产品属性

类型
描述
产品编号：
A2V09H525-04NR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
720MHz ~ 960MHz
增益：
18.9dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
120W
封装/外壳：
OM-1230-4L
供应商器件封装：
OM-1230-4L
描述：
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
肖冠
手机：
19076157484
询价：
电话：
0755-83062789
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层B

A2V09H525-04NR6 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

A2V09H525-04NR6

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