首页>A2V09H300-04NR3>规格书详情
A2V09H300-04NR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2V09H300-04NR3 |
| 参数属性 | A2V09H300-04NR3 封装/外壳为OM-780G-4L；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| 功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| 文件大小 |
461.87 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-30 8:30:00 |
A2V09H300-04NR3规格书详情
A2V09H300-04NR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2V09H300-04NR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
A2V09H300-04NR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
720MHz ~ 960MHz
- 增益：
19.7dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
53dBm
- 封装/外壳：
OM-780G-4L
- 供应商器件封装：
OM-780G-4L
- 描述：
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP Semiconductor |
22+ |
原厂原装 |
100000 |
询价 | |||
NXP USA Inc. |
2022+ |
OM-780-4L |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NI780S4L |
6000 |
询价 | |||
NXP USA Inc. |
23+ |
OM-780G-4L |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
标准封装 |
7678 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
NA |
5950 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
22+ |
NA |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22 |
NA |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
NXP US |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
NXP Semiconductors |
22+ |
Dual N-Channel |
2864 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
询价 |
