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A2V07H525-04NR6	文件：1.05655 Mbytes Page：25 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
A2V07H525-04NR6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：OM-1230-4L 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

产品编号：
A2V07H525-04NR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
595MHz ~ 851MHz
增益：
17.5dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
120W
封装/外壳：
OM-1230-4L
供应商器件封装：
OM-1230-4L
描述：
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

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