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APTGT50H60T3G

有14条库存 更新时间:2019/8/18 11:07:00
APTGT50H60T3G中文资料资料下载文件大小:264.66 KbytesPage:5 Pages厂家MICROSEMI [Microsemi Corporation]描述:Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT50H60T3G技术资料 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
*采购型号: *数量: 品牌: 封装:
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