| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
APT |
21368 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
Microsemi CorporationSP4 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
Microsemi CorporationSP4 |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Microsemi CorporationSP4 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
|
MicrosemiCorporationSP4 |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
MicrosemiPowerProductsGrIGBTMODULENPTASYMBRIDGES |
1690 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
|
MICROSEMI/美高森美NA |
880000 |
12+14+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
浙江永芯科技有限公司4年
留言
|
Microsemi Corporation标准封装 |
2000 |
23+ |
全新原装正品现货直销 |
|||
|
深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
|
MicrosemiN/A |
908 |
1942+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
|
瑞航达科技(深圳)有限公司6年
留言
|
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
||||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
Microsemi CorporationSP1 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
Microsemi CorporationSP1 |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Microsemi CorporationSP1 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
MicrosemiPowerProductsGrIGBTNPTBRIDGE600V65ASP1 |
1724 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
|||
|
浙江永芯科技有限公司4年
留言
|
Microchip Technology标准封装 |
2000 |
23+ |
全新原装正品现货直销 |
APTGF50DH60T采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
APTGF50DH60T图片
APTGF50DH60T1G价格
APTGF50DH60T1G价格：￥227.2198品牌：Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APTGF50DH60T1G多少钱，想知道APTGF50DH60T1G价格是多少？参考价：￥227.2198。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，APTGF50DH60T1G批发价格及采购报价，APTGF50DH60T1G销售排行榜及行情走势，APTGF50DH60T1G报价。
APTGF50DH60T1G中文资料Alldatasheet PDF
更多APTGF50DH60T1G功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGF50DH60TG功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
