| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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MICROSEMITO-247 |
10000 |
22+ |
原装正品现货优势供应 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO-247 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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Microsemi(美高森美)TO-247-3 变式 |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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APTTO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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APTTO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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MICROSETO-247 |
60000 |
17+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Microsemi CorporationT-MAX? [B2] |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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MicrochNA |
33560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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MICROSEMIT-MAX |
9871 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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MicrosemiN/A |
908 |
1942+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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NANA |
26094 |
23+ |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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MICROSEMITO-247 |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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MICROSEMIT-MAX |
9874 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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6000 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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APTTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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Microsemi/美高森美TO247 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Microsemi CorporationTO2473 Variant |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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MicrosemiTO-247 |
10000 |
22+ |
原装正品优势现货供应 |
APT94N65B2C3采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
APT94N65B2C3图片
APT94N65B2C3G价格
APT94N65B2C3G价格：￥127.1932品牌：Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APT94N65B2C3G多少钱，想知道APT94N65B2C3G价格是多少？参考价：￥127.1932。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，APT94N65B2C3G批发价格及采购报价，APT94N65B2C3G销售排行榜及行情走势，APT94N65B2C3G报价。
APT94N65B2C3G中文资料Alldatasheet PDF
更多APT94N65B2C3制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Super Junction MOSFET
APT94N65B2C3_11制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Super Junction MOSFET
APT94N65B2C3G功能描述:MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:CoolMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
