选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
留言
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MICROCHIP1 |
213 |
进口原装 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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MicrochNA |
33560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi Corporation |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Microsemi Corporation |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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MICROCHIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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瑞航达科技(深圳)有限公司6年
留言
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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MicrosemiTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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Microchip |
15000 |
21+ |
只做原装 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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MICROSEMISMD |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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MicrosemiCorporation- |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi Corporation |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
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MICROCHIP3 |
213 |
22+ |
只做原装,有挂就有货。 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Microsemi Corporation |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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MicrosemiN/A |
908 |
1942+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市川蓝电子科技有限公司4年
留言
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microchip |
15420 |
23+ |
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原包装原标现货,假一罚十, |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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MICROSEMISMD |
326 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Microchip TechnologyTO-247-3 变式 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市欧特拉科技有限公司7年
留言
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MicrochNA |
5000 |
18+ |
以质为本,只做原装正品 |
APT68GA60B2D40采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
APT68GA60B2D40图片
APT68GA60B2D40价格
APT68GA60B2D40价格:¥77.8648品牌:Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APT68GA60B2D40多少钱,想知道APT68GA60B2D40价格是多少?参考价:¥77.8648。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,APT68GA60B2D40批发价格及采购报价,APT68GA60B2D40销售排行榜及行情走势,APT68GA60B2D40报价。
APT68GA60B2D40中文资料Alldatasheet PDF
更多APT68GA60B2D40功能描述:IGBT 600V 121A 520W TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
产品属性
- 产品编号:
APT68GA60B2D40
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
POWER MOS 8™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,40A
- 开关能量:
715µJ(开),607µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
21ns/133ns
- 测试条件:
400V,40A,4.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 描述:
IGBT 600V 121A 520W TO-247