| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46290 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi Corporation |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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Microchip |
15000 |
21+ |
只做原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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APT/MICROSEMITO-247MAX |
7000 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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Microsemi/美高森美TO-247 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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MicrochNA |
9640 |
18+ |
专业一站OEM,省时省力少花冤枉钱!专业可靠! |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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APTTO-247Max |
23 |
23+ |
原装正品,假一罚十! |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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MICROSEMISMD |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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瑞航达科技(深圳)有限公司6年
留言
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MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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MicrochNA |
33560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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MicrosemiN/A |
98 |
1942+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Microsemi/美高森美TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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Microsemi/美高森美TO-247 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Microsemi Corporation |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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MicrosemiTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi Corporation |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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利广微科技（深圳)有限公司2年
留言
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Microch标准封装 |
50294 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
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深圳市川蓝电子科技有限公司4年
留言
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microchip |
15421 |
23+ |
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原包装原标现货,假一罚十, |
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深圳市凌锐智能科技有限公司4年
留言
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MICROCHIP/微芯SMT |
18000 |
24+ |
诚以养德,用芯做事,全新原装原盒原标出货。 |
APT64GA90B2D30采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
APT64GA90B2D30图片
APT64GA90B2D30价格
APT64GA90B2D30价格：￥51.9759品牌：Microsemi
生产厂家品牌为Microsemi的APT64GA90B2D30多少钱，想知道APT64GA90B2D30价格是多少？参考价：￥51.9759。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，APT64GA90B2D30批发价格及采购报价，APT64GA90B2D30销售排行榜及行情走势，APT64GA90B2D30报价。
APT64GA90B2D30中文资料Alldatasheet PDF
更多APT64GA90B2D30功能描述:IGBT 900V 117A 500W TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
产品属性
- 产品编号：
APT64GA90B2D30
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
POWER MOS 8™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，38A
- 开关能量：
1192µJ（开），1088µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/131ns
- 测试条件：
600V，38A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3 变式
- 描述：
IGBT 900V 117A 500W TO-247
