选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
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Advanced Linear Devices Inc. |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Advanced Linear Devices Inc. |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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ADVANCEDSMD |
1675 |
20+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Advanced Linear Devices Inc. |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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ADVANCEDSMD |
1675 |
1809+ |
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ALD111910PAL图片
ALD111910PAL中文资料Alldatasheet PDF
更多ALD111910PAL功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
ALD111910PAL
- 制造商:
Advanced Linear Devices Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 描述:
MOSFET 2N-CH 8DIP