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ABN8P10	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
FQB8P10	文件：1.23782 Mbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-8.0A,185m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB8P10	文件：667.16 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB8P10TM	文件：1.23782 Mbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-8.0A,185m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD8P10	文件：1.25031 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-6.6A,530m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD8P10	文件：662.37 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD8P10TF	文件：551.59 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFETMOSFET-100V,-6.6A,530m GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD8P10TM	文件：645.51 Kbytes Page：7 Pages	100VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI8P10	文件：667.16 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP8P10	文件：662.86 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF8P10	文件：667.32 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU8P10	文件：662.37 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU8P10	文件：1.25031 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-6.6A,530m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU8P10TU	文件：1.25031 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-6.6A,530m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
KSM8P10	文件：1.75714 Mbytes Page：6 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMD8P10	文件：1.61675 Mbytes Page：6 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMU8P10	文件：645.11 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
MTM8P10	文件：309.35 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTM8P10	文件：383.29 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs8AMPERES rDS(on)=0.4OHM80and100VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP8P10	文件：168.99 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs8AMPERES rDS(on)=0.4OHM80and100VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉

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详细参数

型号：
8P10
功能描述：
SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V
RoHS：
是
类别：
开关 >> 按钮
系列：
8P
标准包装：
1
系列：
A16
类型：
标准，发光式
电路：
双刀双掷
开关功能：
开-瞬时
额定电流：
5A（AC）额定电压 -
AC：
125V 额定电压 -
DC：
-
触动器类型：
方形，按钮颜色 -
致动器/盖：
黄
发光类型，颜色：
LED，黄
发光电压：
12 VDC
安装类型：
前面板安装
端接类型：
焊接，快速连接 - 0.110（2.8mm）
防护等级：
IP65 - 防尘/防油/防水
特点：
-
面板切口尺寸：
圆形 - 直径 16.00mm
包装：
散装
工作温度：
-10°C ~ 55°C
机械寿命：
2,000,000 次循环
电气寿命：
100,000 次循环
其它名称：
A165LAYM12D2

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更多8P10供应商更新时间2024-4-27 15:30:00

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