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8933	文件：14.98 Kbytes Page：1 Pages	50VCERAMICDISC	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
ACT8933	文件：102.9 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedPMUforCoreLogicLUCY	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT8933	文件：723.03 Kbytes Page：44 Pages	AdvancedPMUforCoreLogicLUCY	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
CEM8933	文件：501.66 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-4.3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=140mΩ@VGS=-2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfaceMountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM8933AJPT	文件：204.81 Kbytes Page：2 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT4.6Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchi	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
EN8933A	文件：534.04 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
L8933	文件：126.76 Kbytes Page：4 Pages	CWLASERDIODES CWLASERDIODES Highopticalpowerfromasinglechip FEATURES ●Highopticalpower&highradiantfluxdensity(CW) L8933series:0.5W/50µm L8446series:1W/100µm L8763series:1W/50µm L8828series:2W/100µm ●Highstability ●Longlife ●Compact	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
PD8933	文件：128.66 Kbytes Page：3 Pages	InGaAsAVALANCHEPHOTODIODES DESCRIPTION PD8XX3seriesareInGaAsavalanchephotodiodewhichhasasensitiveareaofφ35µm,PD8XX3issuitableforreceivingthelighthavingawavelengthbandof1000to1600nm.Thisphotodiodefeatureslownoise,ahighquantumefficiencyandahighspeedresponseissuitableforthelight	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
SGM8933	文件：365.83 Kbytes Page：16 Pages	Rail-to-RailOutputOperationalAmplifiers	SGMICROSG Micro Corp 圣邦圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
TDA8933	文件：265.16 Kbytes Page：47 Pages	Class-Daudioamplifier Generaldescription TheTDA8933isahighefficiencyclass-Damplifierwithlowpowerdissipation.Thecontinuoustimeoutputpoweris2×10Winastereohalfbridgeapplication(RL=8Ω)or1×20Winamonofullbridgeapplication(RL=16Ω).Duetothelowpowerdissipationthedeviceca	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
TDA8933B	文件：244.86 Kbytes Page：42 Pages	ClassDaudioamplifier TheTDA8933Bisahigh-efficiencyclassDamplifierwithlowpowerdissipation. Thedevicehastwofulldifferentialinputsdrivingtwoindependentoutputs.Itcanbeusedinamonofull-bridgeconfiguration(Bridge-TiedLoad(BTL))orasstereohalf-bridgeconfiguration(Single-Ended(SE)).	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
TDA8933BTW	文件：244.86 Kbytes Page：42 Pages	ClassDaudioamplifier TheTDA8933Bisahigh-efficiencyclassDamplifierwithlowpowerdissipation. Thedevicehastwofulldifferentialinputsdrivingtwoindependentoutputs.Itcanbeusedinamonofull-bridgeconfiguration(Bridge-TiedLoad(BTL))orasstereohalf-bridgeconfiguration(Single-Ended(SE)).	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
TDA8933T	文件：265.16 Kbytes Page：47 Pages	Class-Daudioamplifier Generaldescription TheTDA8933isahighefficiencyclass-Damplifierwithlowpowerdissipation.Thecontinuoustimeoutputpoweris2×10Winastereohalfbridgeapplication(RL=8Ω)or1×20Winamonofullbridgeapplication(RL=16Ω).Duetothelowpowerdissipationthedeviceca	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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