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NP82N04MDG	文件：326.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MDGandNP82N04NDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP82N04MUG	文件：322.83 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MUGandNP82N04NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Lowi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP82N04NDG	文件：326.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MDGandNP82N04NDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP82N04NUG	文件：322.83 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MUGandNP82N04NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Lowi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N04PDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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更多82N04供应商更新时间2024-4-29 10:20:00

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