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80N08	文件：140.24 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL80V(D-S)MOSFET DESCRIPTION TheUTC80N08isanN-channelMOSFETusingUTCadvancedtechnology.Itcanbeusedinapplications,suchaspowersupply(secondarysynchronousrectification),industrialandprimaryswitchetc. FEATURES *TrenchFETPowerMOSFETSTechnology	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
80N08A	文件：279.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BR80N08	文件：942.08 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BR80N08	文件：2.24856 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
BR80N08A	文件：930.96 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRB80N08	文件：757.95 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
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FIR80N08RG	文件：3.56958 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet-D	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
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FTK80N08DD	文件：438.67 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELMOSFET(80V/80A,Rds=8m廓)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HRP80N08K	文件：2.12182 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
HRP80N08K	文件：944.66 Kbytes Page：8 Pages	80VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRS80N08K	文件：939 Kbytes Page：7 Pages	80VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IXFC80N08	文件：323.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFC80N08	文件：75.16 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFET-TMMOSFETISOPLUS220-TM Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH80N08	文件：93.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH80N08	文件：372.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFT80N08	文件：93.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
KF80N08F	文件：29.73 Kbytes Page：1 Pages	TO-220ISPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创盛芯科技有限公司	80N08MOS(场效应管)	17	22+	DFN-85X6	3750	原装现货假一赔十	询价
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更多80N08MOS(场效应管)供应商更新时间2024-6-14 16:08:00

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