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71V3576S133PFGI	文件：288.51 Kbytes Page：19 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V3576S133PFGI	文件：220.08 Kbytes Page：18 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V3576S133PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V3576S133PFGI8	文件：288.51 Kbytes Page：19 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V3576S133PFGI8	文件：220.08 Kbytes Page：18 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V3576S133PFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V3576S133PFG	文件：220.08 Kbytes Page：18 Pages	3.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V3576S133PFG	文件：288.51 Kbytes Page：19 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71V3576S133BG	文件：288.96 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V3576S133BGI	文件：288.96 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT71V3576S133BQI	文件：288.96 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V3576S133PF	文件：288.96 Kbytes Page：22 Pages	128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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产品属性

产品编号：
71V3576S133PFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创辉电子科技有限公司	71V3576S133PFGI	RENESAS(瑞萨)	23+	100-TQFP (20.00L X 14.00W X 0.	720	全新、原装	询价
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