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71V124SA12YG集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
71V124SA12YG |
| 参数属性 | 71V124SA12YG 封装/外壳为32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| 文件大小 |
192.06 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-13 0:03:00 |
71V124SA12YG规格书详情
Features
◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
reduced noise
◆ Equal access and cycle times
– Commercial: 10/12/15ns
– Industrial: 10/12/15ns
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible
◆ Single 3.3V supply
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in a 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and
32-pin Type II TSOP packages
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
71V124SA12YG属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V124SA12YG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
71V124SA12YG
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
1Mb（128K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
12ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
32-SOJ
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
1515+ |
32-BSOJ |
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