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7164S20YGI8中文资料PDF规格书
产品属性
- 产品编号:
7164S20YGI8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
64Kb(8K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
20ns
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)
- 供应商器件封装:
28-SOJ
- 描述:
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
5 |
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IDT-集成器 |
24+25+/26+27+ |
SOP-28 |
6328 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
PDIP-28 |
499 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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PDIP-28 |
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Renesas Electronics America In |
24+ |
28-BSOJ(0.300,7.62mm 宽) |
9350 |
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Integrated Device Technology |
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RENESAS(瑞萨电子) |
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NA |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
28-SOJ |
56200 |
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Renesas |
21+ |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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PDIP28 |
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