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71256SA20YG8	文件：191.21 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit) Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71256SA20YG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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71256SA20YG8

文件：191.21 Kbytes

Page：9 Pages

CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp

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71256SA20YG8

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

产品属性

产品编号：
71256SA20YG8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

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