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71256SA20TPGI

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CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71256SA20TPGI

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包装：卷带（TR） 封装/外壳：28-DIP（0.300"，7.62mm） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71256SA20PZG

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CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71256SA20PZGI

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CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71256SA20TPG

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CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71256SA20TPG

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CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

71256SA20YG

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CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71256SA20YGI

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CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆32Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C) temperatureoptions ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12ns –CommercialandIndustrial:15/20/25ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

IDT71256SA20PZ

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CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT)

Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT71256SA20PZI

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CMOSStaticRAM256K(32Kx8-Bit)

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT71256SA20T

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CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT)

Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT71256SA20TP

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CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT)

Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT71256SA20Y

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CMOSSTATICRAM256K(32Kx8-BIT)

Description TheIDT71256SAisa262,144-bithigh-speedStaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwith innovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

产品属性

  • 产品编号：

    71256SA20TPGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别：

    集成电路（IC） > 存储器

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 存储器类型：

    易失

  • 存储器格式：

    SRAM

  • 技术：

    SRAM - 异步

  • 存储容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存储器接口：

    并联

  • 写周期时间 - 字，页：

    20ns

  • 电压 - 供电：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    28-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供应商器件封装：

    28-PDIP

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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71256SA20TPGI
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