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71124S20YG集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	71124S20YG
参数属性	71124S20YG 封装/外壳为32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
功能描述	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
文件大小	188.35 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Renesas Electronics America
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2024-5-5 15:18:00

71124S20YG规格书详情

Features

◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM

◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for

reduced noise.

◆ Equal access and cycle times

– Commercial: 12/15/20ns

– Industrial: 15/20ns

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ.

71124S20YG属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71124S20YG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
71124S20YG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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