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71124S12YG	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71124S12YG8	文件：188.35 Kbytes Page：9 Pages	CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71124S12YG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71124S12YG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT71124S12Y	文件：83.54 Kbytes Page：8 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71124S12YI	文件：83.54 Kbytes Page：8 Pages	CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

产品属性

产品编号：
71124S12YG8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瀚佳科技(深圳)有限公司	71124S12YG8	IDT, Integrated Device Technol	21+	32-SOJ	56200	一级代理/放心采购	询价
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更多71124S12Y供应商更新时间2024-4-29 10:01:00

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