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71016S15PHGI集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

71016S15PHGI
厂商型号

71016S15PHGI

参数属性

71016S15PHGI 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

文件大小

201.15 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-10-31 17:54:00

71016S15PHGI规格书详情

Features

◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ Equal access and cycle times

– Commercial : 12/15/20ns

– Industrial: 15/20ns

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly TTLcompatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Upper and Lower Byte Enable Pins

◆ Commercial and industrial product available in 44-pin

Plastic SOJ package and 44-pin TSOP package

Description

The IDT71016 is a 1,048,576-bit high-speed Static RAM organized

as 64K x 16. It is fabricated using high-performance, high-reliability CMOS

technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative

circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed

memory needs.

The IDT71016 has an output enable pin which operates as fast as 7ns,

with address access times as fast as 12ns. All bidirectional inputs and

outputs of the IDT71016 are TTL-compatible and operation is from a single

5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks

or refresh for operation.

The IDT71016 is packaged in a JEDEC standard 44-pin Plastic SOJ

and 44-pin TSOP Type II.

71016S15PHGI属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71016S15PHGI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    71016S15PHGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

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