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70V658S10BCGI	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V658S10BCGI8	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V658S10BC	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V658S10BCG	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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IDT70V658S10BC	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V658S10BC	文件：203.65 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V64KX36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT70V658S10BF	文件：203.65 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V64KX36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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更多70V658S10BCGI供应商更新时间2024-6-3 13:02:00

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