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70V37L20PFI | 包装:托盘 封装/外壳:100-LQFP 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 576KBIT PARALLEL 100TQFP | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
包装:托盘 封装/外壳:100-LQFP 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 576KBIT PARALLEL 100TQFP | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
HIGH-SPEED3.3V32Kx18DUAL-PORTSTATICRAM | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | IDT | ||
HIGH-SPEED3.3V32Kx18DUAL-PORTSTATICRAM | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | IDT | ||
HIGH-SPEED3.3V32Kx18DUAL-PORTSTATICRAM | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | IDT | ||
HIGH-SPEED3.3V32Kx18DUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V37L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepthex | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
HIGH-SPEED3.3V32Kx18DUAL-PORTSTATICRAM | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | IDT | ||
HIGH-SPEED3.3V32Kx18DUAL-STATICRAM | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | IDT | ||
HIGH-SPEED3.3V32Kx18DUAL-STATICRAM | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | IDT |
产品属性
- 产品编号:
70V37L20PFI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 双端口,异步
- 存储容量:
576Kb(32K x 18)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
20ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
100-LQFP
- 供应商器件封装:
100-TQFP(14x14)
- 描述:
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 100TQFP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
100-TQFP(14x14) |
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IDT |
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RENESAS(瑞萨电子) |
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Renesas Electronics America In |
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IDT/RENESAS |
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