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70V28L20PFGI	文件：461.89 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V28L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepth	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V28L20PFGI	文件：655.44 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V28L20PFGI	文件：150.63 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V28L20PFGI	文件：194.97 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V28L20PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V28L20PFGI8	文件：461.89 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V28L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepth	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V28L20PFGI8	文件：655.44 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V28L20PFGI8	文件：194.97 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V28L20PFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V28L20PFG	文件：655.44 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V64Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V28L20PFG	文件：194.97 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V64Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V28L20PFG	文件：461.89 Kbytes Page：19 Pages	HIGH-SPEED3.3V64Kx16DUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V28L Active:440mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepth	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT70V28L20PF	文件：152.02 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V64Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V28L20PFI	文件：152.02 Kbytes Page：17 Pages	HIGH-SPEED3.3V64Kx16DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

产品属性

产品编号：
70V28L20PFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华芯购电子有限公司	70V28L20PFGI	RENESAS	21+	TQFP100	3000		询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	70V28L20PFGI	RENESAS(瑞萨)/IDT	2022+原装正品	TQFP-100(14x14)	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
深圳市誉腾达半导体科技有限公司	70V28L20PFGI	IDT	22+	TQFP100	5000	公司只有原装	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	70V28L20PFGI	RENESAS(瑞萨)	23+	100-TQFP (14.00L X 14.00W X 0.	60	全新、原装	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	70V28L20PFGI	IDT/Renesas	23+	TQFP100	9048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	70V28L20PFGI	IDT/Renesas	23+	TQFP100	13316	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市中广亿科技发展有限公司	70V28L20PFGI	IDT	21+	TQFP100	5000	原装价优	询价
深圳市弘为电子有限公司	70V28L20PFGI	IDT	16+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	70V28L20PFGI		23+	N/A	30350	正品授权货源可靠	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	70V28L20PFGI	IDT, Integrated Device Technol	21+	100-TQFP(14x14)	56200	一级代理/放心采购	询价

更多70V28L20PFGI供应商更新时间2024-4-30 8:01:00

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