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70V06L20PFGI	文件：305.05 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V06L Active:380mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆IDT70V06easilyexpandsdatabuswidt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V06L20PFGI	文件：682.95 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20PFGI	文件：207.9 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：64-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V06L20PFGI8	文件：305.05 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V06L Active:380mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆IDT70V06easilyexpandsdatabuswidt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V06L20PFGI8	文件：682.95 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20PFGI8	文件：207.9 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20PFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：64-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V06L20GG	文件：682.95 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20GG	文件：207.9 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20GGI	文件：207.9 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20GGI	文件：682.95 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20JG	文件：682.95 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20JG	文件：207.9 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20JGI	文件：207.9 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20JGI	文件：305.05 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V06L Active:380mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆IDT70V06easilyexpandsdatabuswidt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V06L20JGI	文件：682.95 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20PFG	文件：682.95 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70V06L20PFG	文件：207.9 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70V06L20G	文件：171.53 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED3.3V16Kx8DUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V06isahigh-speed16Kx8Dual-PortStaticRAM.TheIDT70V06isdesignedtobeusedasastand-alone128K-bitDual-PortStaticRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortStaticRAMfor16-bit-or-morewordsystems. Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallows	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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产品属性

产品编号：
70V06L20PFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
128Kb（16K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LQFP
供应商器件封装：
64-TQFP
描述：
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP

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