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70T653MS12BCG	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T653MS12BCG	文件：236.18 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T653MS12BCGI	文件：509.3 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T653MS12BCG8	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70T653MS12BCGI	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70T653MS12BCGI8	文件：705.77 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T653MS12BCGI8	文件：236.18 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T653MS12BCGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：256-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T653MS12BC	文件：509.3 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED2.5V512Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T653MS12BCI	文件：509.3 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED2.5V512Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT70T653MS12BC	文件：309.44 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED2.5V512Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T653Misahigh-speed512Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T653Misdesignedtobeusedasastand-alone18874K-bitDual-PortRAM.Thisdeviceprovidestwoindependentportswithseparatecontrol,address,andI/Opinsthatpermitindependent,asynchronousac	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT70T653MS12BCI	文件：309.44 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED2.5V512Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Description TheIDT70T653Misahigh-speed512Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70T653Misdesignedtobeusedasastand-alone18874K-bitDual-PortRAM.Thisdeviceprovidestwoindependentportswithseparatecontrol,address,andI/Opinsthatpermitindependent,asynchronousac	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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