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70T633S10BFG中文资料PDF规格书

70T633S10BFG
厂商型号

70T633S10BFG

参数属性

70T633S10BFG 封装/外壳为208-LFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

功能描述

ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

文件大小

251.71 Kbytes

页面数量

27

生产厂商 Integrated Device Technology, Inc.
企业简称

IDT集成器

中文名称

深圳市集成器件技术有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 13:31:00

产品属性

  • 产品编号:

    70T633S10BFG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,异步

  • 存储容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    208-LFBGA

  • 供应商器件封装:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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