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70T3319S133BFG	文件：829 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70T3319S133BFGI	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenab	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T3319S133BFGI8	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenab	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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70T3319S133BFGI8	文件：829 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70T3319S133BFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：208-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T3319S133BFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：208-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T3319S133BC	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256/128KX18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenab	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T3319S133BCG	文件：342.74 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEEDSYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T3319S133BCG	文件：829 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5VSYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T3319S133BCGI	文件：829 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED2.5VSYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T3319S133BCGI	文件：342.74 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEEDSYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T3319S133BF	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256/128KX18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenab	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T3319S133BFI	文件：628.53 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256/128KX18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenab	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT70T3319S133BC	文件：485.91 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED2.5V512/256/128KX18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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详细参数

型号：
70T3319S133BFG
制造商：
Integrated Device Technology Inc
功能描述：
SRAM Chip Sync Dual 2.5V 4M-Bit 256K x 18 15ns/4.2ns 208-Pin CABGA Tray
功能描述：
SRAM SYNC DUAL 2.5V 4.5MBIT 256KX18 15NS/4.2NS 208FPBGA - Rail/Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市斌腾达科技有限公司	70T3319S133BFGI	IDT, Integrated Device Technol	21+	64-LBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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更多70T3319S133BFG供应商更新时间2024-5-10 13:02:00

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