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MDI6N65BTH	文件：935.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,5.7A,1.45(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI6N65BTH	文件：364.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MPCF6N65A	文件：357.32 Kbytes Page：5 Pages	ZeroReverseRecoveryCurrent Features ZeroReverseRecoveryCurrent ZeroForwardRecoveryVoltage Temperature-independentSwitchingBehavior PositiveTemperatureCoefficientonVF High-speedswitchingpossible Highsurgecurrentcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) MotorDrives Power	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MSF6N65	文件：457.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
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NDT6N65P	文件：3.45656 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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NJ6N65-LI	文件：645.73 Kbytes Page：6 Pages	6.2A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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更多6N65K-MT供应商更新时间2024-5-27 10:20:00

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