6N60F说明书PDF资料行情报价森美特第6页-114ic电子网

首页 >6N60F>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
MSF6N60	文件：1.2097 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTB6N60	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB6N60	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB6N60E	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTH6N60	文件：232.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerFieldEffectTransistor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：293.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM6N60	文件：282.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP6N60	文件：153.57 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MTP6N60	文件：119.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES •DrainCurrent-ID=6A@TC=25°C •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequirement	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP6N60	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP6N60E	文件：295.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP6N60E	文件：177.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP6N60E	文件：156.71 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=1.2OHMS TMOSE-FET™ PowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstand	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTW6N60E	文件：69.57 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTW6N60E	文件：321.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDT6N60	文件：1.85147 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

<<<1 2 3 4 567 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	6N60F,D	SILAN/士兰微	22+	TO-220F-3L;TO-252-2L	150000	挂的就有,常备现货	询价
深圳市宇信通微波器件经营部	6N-60F	INMET	20+	N(F/F)	25	weinschel 衰减器库存大量现货,欢迎电寻	询价
深圳兆威电子有限公司	6N60G-TA3-T	VB	2019	TO-220	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	6N60G-TA3-T	UTC/友顺	2020+	TO220	100000	原装现货	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	6N60G-TA3-T	U	23+	TO-220	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	6N60G-TA3-T	U	TO-220	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市创新迹电子有限公司	6N60G-TA3-T	UTC/友顺	2022+	TO-220	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市九方航科技有限公司	6N60G-TA3-T	VBSEMI	19+	TO-220	29600	绝对原装现货,价格优势!	询价
深圳市华博特电子有限公司	6N60G-TA3-T	UTC	23/22+	TO220	6000	20年老代理.原厂技术支持	询价
深圳市恒诺芯科技有限公司	6N60G-TN3-R	UTC/友顺	2325+	TO-252	33000	无敌价格主销品牌正规渠道订货免费送样!!!	询价

更多6N60F供应商更新时间2024-6-5 17:17:00

相关规格书

相关库存