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6N10L-TN3-R	文件：147.61 Kbytes Page：4 Pages	6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
6N10L-TN3-R	文件：223.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
6N10L-TND-R	文件：223.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
6N10	文件：147.61 Kbytes Page：4 Pages	6Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
6N10G-TND-R	文件：223.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
6N10Z	文件：197.84 Kbytes Page：4 Pages	6.5Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
FIR6N10LTG	文件：8.05172 Mbytes Page：7 Pages	GenerALDescription	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
HLDD6N10	文件：723.84 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDD6N10	文件：1.01927 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
HM6N10	文件：688.85 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM6N10R	文件：593.26 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LMTM6N10	文件：930.48 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MTD6N10	文件：345.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD6N10	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR,N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE,DPAKFORSURFACEMOUNTORINSERTIONMOUNT PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate DPAKforSurfaceMountorInsertionMount ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrealydrivers.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD6N10E	文件：211.53 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.400OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD6N10E	文件：265.2 Kbytes Page：10 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP6N10	文件：172.33 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP6N10	文件：295.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD6N10E	文件：70.04 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP6N10E	文件：53.42 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多6N10L供应商更新时间2024-4-29 11:36:00

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