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6ED2230S12T	文件：3.37502 Mbytes Page：29 Pages	1200 V Three Phase Gate Driver with Integrated Bootstrap Diode and OCP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
6ED2230S12TXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），24 引线类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：1200V THREE PHASE DRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
6ED2230S12C	文件：825.61 Kbytes Page：22 Pages	1200VThreePhaseGateDriverwithIntegratedBootstrapDiodeandOCP Features InfineonThinFilmSOItechnology Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation Fullyoperationalto+1200V Toleranttonegativetransientvoltageupto-100V(pulsewidthsupto700ns) Gatedrivesupplyrangefrom12Vto20V 25VVCCvoltagesupply(maximum) 3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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6ED2230S12T

文件：3.37502 Mbytes

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1200 V Three Phase Gate Driver with Integrated Bootstrap Diode and OCP

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

6ED2230S12TXUMA1

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Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），24 引线类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：1200V THREE PHASE DRIVER

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

6ED2230S12C

文件：825.61 Kbytes

Page：22 Pages

1200VThreePhaseGateDriverwithIntegratedBootstrapDiodeandOCP

Features InfineonThinFilmSOItechnology Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation Fullyoperationalto+1200V Toleranttonegativetransientvoltageupto-100V(pulsewidthsupto700ns) Gatedrivesupplyrangefrom12Vto20V 25VVCCvoltagesupply(maximum) 3

InfineonInfineon Technologies AG

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