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CM658	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company	VCC
CNS658-MU	文件：1.41675 Mbytes Page：8 Pages	TypeBFready	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技	ARTESYN
CNS658-MU	文件：1.35743 Mbytes Page：8 Pages	650WattAC-DCPowerSupplies	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技	ARTESYN
DRA658	文件：62.9 Kbytes Page：7 Pages	High-PerformanceAutomotiveMedia	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
DZT658	文件：152.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX658A	文件：81.69 Kbytes Page：4 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features •BVCEO=400V •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX658A	文件：54.49 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarMediumPowerHighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO ●0.5Ampcontinuouscurrent ●Ptot=1Watt ●Optimisedhfecharacterisedupto200mA	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX658A	文件：75.85 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO 0.5Ampcontinuouscurrent Ptot=1Watt Optimisedhfecharacterisedupto200mA APPLICATIONS Telephonediallercircuits Hookswitchesformodems PredriverswithinHIDlampballasts (SLIC)SubscriberLineInterfaceCards	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FDC658AP	文件：275.33 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelLogicLevelPowerTrench짰MOSFET-30V,-4A,50mOhm GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildsadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ■MaxrDS(on)=50m@VGS=-10V,ID=-4A ■MaxrDS(on)=75m@VGS=-4.5V,ID=-3.4A ■LowGateCh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC658AP	文件：1.90111 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FDC658AP	文件：1.00599 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDC658P	文件：249.44 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedf	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDLL658	文件：336.14 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FZT658	文件：38.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO ●Lowsaturationvoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT658	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO Lowsaturationvoltage	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT658	文件：89.67 Kbytes Page：2 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features •BVCEO>400V •IC=500mAHighContinuousCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(SAT)40Specifiedupto200mAforHighCurrentGainHold-Up •ComplementaryPNPType:FZT758 •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT658	文件：267.28 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>400V •IC=500mAHighContinuousCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(SAT)40Specifiedupto200mAforHighCurrentGainHold-Up •ComplementaryPNPType:FZT758 •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT658TA	文件：267.28 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>400V •IC=500mAHighContinuousCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(SAT)40Specifiedupto200mAforHighCurrentGainHold-Up •ComplementaryPNPType:FZT758 •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
HMC658	文件：345.26 Kbytes Page：8 Pages	WIDEBANDFIXEDATTENUATORFAMILY,DC-50GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HMC658	文件：476.43 Kbytes Page：8 Pages	WIDEBANDFIXEDATTENUATORFAMILY	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
658H
功能描述：
拨动开关 3PDT 10A 125V 17.5mm
RoHS：
否
制造商：
C&K Components
触点形式：
DPDT
开关功能：
ON - ON - ON
电流额定值：
电压额定值
AC：
20 V 电压额定值
DC：
20 V
功率额定值：
0.4 VA
端接类型：
V-Bracket
端子密封：
Epoxy
触点电镀：
Gold
照明：
Not Illuminated

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更多658H供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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