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BA6296FP	文件：197.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerDrivertorCDPlayer •Features 1)4-channeldriverspecialforBTLuse 2)BymeansoftheHSOP28pinpowerpackagein use,thesetcanbemadesmaller. 3)Thethermalshutdowncircuitisbuiltin. 4)Gaincanbeadjustedusinganexternalresistance. 5)Builtin5Vregulator(anexternalPNPtransistoris requ	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
CD6296	文件：123.25 Kbytes Page：2 Pages	TransientsuppressorCELLULARDIEPACKAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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CD6296C	文件：134.82 Kbytes Page：2 Pages	CELLULARDIEPACKAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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CM6296	文件：39.74 Kbytes Page：1 Pages	Choke/IsolationTransformer	API API Delevan Inc.
CM6296R	文件：1.34666 Mbytes Page：1 Pages	CommonModeChoke/IsolationTransformer	API API Delevan Inc.
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EL6296CL	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	LaserDiodeDriverwithWaveformGenerator LaserDiodeDriverwithWaveformGenerator TheEL6296isahighlyintegratedlaserdiodedriverdesignedtosupportmulti-standardwritableopticaldrives.Itaccomplishesthisbyincorporatingawaveformgeneratorwhereinthediodecurrentsandtimingdetailscanbeprogrammedbeforeoperation.	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
EL6296CLZ	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	LaserDiodeDriverwithWaveformGenerator LaserDiodeDriverwithWaveformGenerator TheEL6296isahighlyintegratedlaserdiodedriverdesignedtosupportmulti-standardwritableopticaldrives.Itaccomplishesthisbyincorporatingawaveformgeneratorwhereinthediodecurrentsandtimingdetailscanbeprogrammedbeforeoperation.	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FDD6296	文件：105.27 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelFastSwitchingPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •50A,30	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD6296	文件：352.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.8mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDM6296	文件：471.33 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-Channel,Logic-Level,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThissingleN-channelMOSFETinthethermallyefficientMicroFETpackagehasbeenspecificallydesignedtoperformwellinPointofLoadconverters.ProvidinganoptimizedbalancebetweenrDS(on)andgatechargethisdevicecanbeeffectivelyusedasa“highside”controlswit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDM6296	文件：231.67 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelLogic-LevelPowerTrench짰MOSFET30V,11.5A,10.5m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDMC6296	文件：274.6 Kbytes Page：7 Pages	SingleN-ChannelLogic-LevelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDU6296	文件：105.27 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelFastSwitchingPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •50A,30	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FP6296	文件：627.28 Kbytes Page：13 Pages	10ACurrentModeNon-SynchronousPWMBoostConverter	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司
HB6296	文件：456.454 Kbytes Page：14 Pages	此文件是高压大电流，2-10节锂电充电管理芯片HB6296的PDF资料。	HBHB Electronic Components HB Electronic Components

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更多6296BG供应商更新时间2024-4-27 10:20:00

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