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600S0R8BT250XT	文件：207.48 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor This27dBmRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof3300to3800MHz. Features •Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance •Designedforlowcomplexitylinearizationsystems •Universalbroadbanddriver •	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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600S0R8BT250XT

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Airfast RF Power GaN Transistor

This27dBmRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof3300to3800MHz. Features •Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance •Designedforlowcomplexitylinearizationsystems •Universalbroadbanddriver •

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：0603（1608 公制）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 0.8PF 250V C0G/NP0 0603

American Technical Ceramics

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：0603（1608 公制）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 0.8PF 250V C0G/NP0 0603

American Technical Ceramics

产品属性

产品编号：
600S0R8BT250XT
制造商：
American Technical Ceramics
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
ATC 600S
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±0.1pF
电压 - 额定：
250V
温度系数：
C0G，NP0
工作温度：
-55°C ~ 125°C
特性：
高 Q 值，低损耗，超低 ESR
应用：
射频，微波，高频，旁通，去耦
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
0603（1608 公制）
大小 / 尺寸：
0.063" 长 x 0.032" 宽（1.60mm x 0.81mm）
厚度（最大值）：
0.035"（0.89mm）
描述：
CAP CER 0.8PF 250V C0G/NP0 0603

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