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600F5R6BT250XT	文件：195.94 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor Designedforhandheldtwo−wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge−signal,common−sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features •Characterizedforoperationf	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
600F5R6BT250XT	文件：221.53 Kbytes Page：10 Pages	RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
600F5R6BT250XT	文件：364.8 Kbytes Page：9 Pages	RF Power LDMOS Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
600F5R6BT250XT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：0805（2012 公制）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 5.6PF 250V C0G/NP0 0805	American Technical Ceramics American Technical Ceramics	American Technical Ceramics
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ATC600F5R6BT250XT	文件：985.86 Kbytes Page：21 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
ATC600F5R6BT250XT	文件：722.98 Kbytes Page：17 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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ATC600F5R6BT250XT	文件：255.19 Kbytes Page：8 Pages	RFPowerLDMOSTransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
ATC600F5R6BT250XT	文件：254.82 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET Features Advancedhighperformancein--packageDoherty Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
600F5R6BT250XT
制造商：
American Technical Ceramics
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
ATC 600F
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±0.1pF
电压 - 额定：
250V
温度系数：
C0G，NP0
工作温度：
-55°C ~ 125°C
特性：
高 Q 值，低损耗，超低 ESR
应用：
射频，微波，高频，旁通，去耦
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
0805（2012 公制）
大小 / 尺寸：
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.01mm x 1.24mm）
厚度（最大值）：
0.051"（1.30mm）
描述：
CAP CER 5.6PF 250V C0G/NP0 0805

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