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600F0R2BT250XT	文件：195.94 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor Designedforhandheldtwo−wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge−signal,common−sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features •Characterizedforoperationf	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
600F0R2BT250XT	文件：374.42 Kbytes Page：8 Pages	RF Power GaN Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
600F0R2BT250XT	文件：470.53 Kbytes Page：14 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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产品属性

产品编号：
600F0R2BT250XT
制造商：
American Technical Ceramics
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
ATC 600F
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±0.1pF
电压 - 额定：
250V
温度系数：
C0G，NP0
工作温度：
-55°C ~ 125°C
特性：
高 Q 值，低损耗，超低 ESR
应用：
射频，微波，高频，旁通，去耦
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
0805（2012 公制）
大小 / 尺寸：
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.01mm x 1.24mm）
厚度（最大值）：
0.051"（1.30mm）
描述：
CAP CER 0.2PF 250V NP0 0805

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